利用事例
SiCナノワイヤを応用したMEMSセンサデバイスの研究
ICP-RIE装置等を用い静電容量式変位センサと引張り負荷用アクチュエータを集積したナノ材料特性評価専用MEMSデバイスをSOIウェハ上に作製した。<br /> 試作デバイス上にCore/Shell-SiCナノワイヤー (直径約68nm) を架橋した後、同ナノワイヤーの機械的特性およびピエゾ抵抗効果を評価したところ、Core/Shell-SiCナノワイヤーのゲージ率は、歪み0.008, 最大-30.6で、3C-SiCナノワイヤの約2倍であり、SiO<sub>2</sub>被覆層が3C-SiCナノワイヤのピエゾ抵抗効果を増大することがわかった。
図1 Core/Shell-SiCナノワイヤーのSEM/TEM像
図2 ナノ材料特性評価用MEMSデバイスのSEM像