深堀りドライエッチング装置
ナノ材料加工・創造装置群
| 装置番号／ARIM設備ID | B59／KT-259 |
|---|---|
| 装置名 | 深堀りドライエッチング装置 Reactive Ion Deep Silicon Etcher |
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| 製造社名 | サムコ(株) (https://www.samco.co.jp/) |
| 品名・型番 | MEMS用高速シリコンエッチング装置 RIE-800iPB-KU |
| 特徴 | ボッシュプロセスを導入した MEMS用高速シリコンエッチング装置 (13.56MHz、400KHz電源搭載) |
| キーワード | |
| 設置場所 | 桂クリーンルーム |
| 装置利用料金 | こちらをご覧ください |
仕様
| プラズマ源 | ICP |
| 基板サイズ | Φ4″ウエハ，Φ6″ウエハ* （* JEIDA規格において一部制限あり） |
| 基板ステージ | 静電チャック 下部電極温度制御（-10～40℃） 可動試料台（電極間距離変更可） He冷却機構 |
| 高周波電源 | ICP：3kW（13.56MHz） BIAS：500W（13.56MHz），500W（400kHz） |
| 排気系 | エッチング室：TMP（2000L/sec）+DRP |
| ガス導入系 | SF6 C4F8 O2 Ar CF4* （* クリーニング用） |
| 用途 | Si |
| エッチング性能（参考値） | ボッシュプロセス プラズマ発光分光式エンドポイントモニタ ランピング機能 除電シーケンス 基板自動搬送機構 ロードロック室 |