誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置
ナノ材料加工・創造装置群
| 装置番号／ARIM設備ID | B36／KT-236 |
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| 装置名 | 誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置 Inductive Coupling Plasma Reactive Ion Etcher |
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| 製造社名 | (株)アルバック (https://www.ulvac.co.jp/index.html) |
| 品名・型番 | 枚葉式複合モジュール型 成膜加工装置 uGmni-200E |
| 特徴 | 金属(Au,Ga,Pt,Ti他)、誘電膜(金属酸化物)、絶縁膜、Si系に対応したイオンエッチング装置 |
| キーワード | |
| 設置場所 | 総合研究6号館 クリーンルーム1 |
| 装置利用料金 | こちらをご覧ください |
仕様
| プラズマ源 | 誘導結合プラズマ（ICP） |
| 最大基板サイズ | Φ6インチウエハ（JEITA) |
| 基板ステージ | メカチャック チラー温度制御（－１０～４０℃） He冷却機構 |
| 高周波電源 | アンテナ最大出力：１ｋW(13.56MHz) バイアス最大出力：６００W(12.5MHz) |
| ガス導入系 | Ar O2 C4F8 CHF3 CF4 SF6 Cl2 BCl3 |
| 用途 | 金属(Au,Ga,Pt,Ti他)、誘電膜(金属酸化物)、絶縁膜、Si系 |