シリコン犠牲層ドライエッチングシステム
ナノ材料加工・創造装置群
| 装置番号／ARIM設備ID | B13／KT-213 |
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| 装置名 | シリコン犠牲層ドライエッチングシステム Vapor XeF 2 Release Etcher |
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| 製造社名 | XACTIX社 |
| 品名・型番 | シリコン犠牲層ドライエッチング装置 Xetch X3B |
| 特徴 | フッ化キセノン（XeF2）により、Siを常圧、非プラズマ条件下でドライエッチングすることができます。 |
| キーワード | |
| 設置場所 | 総合研究6号館 クリーンルーム2 |
| 装置利用料金 | こちらをご覧ください |
仕様
| 基板 | 最大Φ6インチに対応 |