シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム

ナノ材料加工・創造装置群

装置番号/ARIM設備ID B12/KT-212
装置名 シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム
Vapor HF Release Etcher
シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム
製造社名 住友精密工業(株) (https://www.spp.co.jp/)
品名・型番 シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチング装置 MLT-SLE-Ox
特徴

フッ化水素(HF)ガスによりシリコン酸化膜をドライエッチングできます。
基板は3枚まで同時にエッチング可能。

キーワード
設置場所

総合研究6号館 クリーンルーム1

装置利用料金

こちらをご覧ください

仕様

基板 最大Φ6インチに対応
一覧ページ