ドライエッチング装置
ナノ材料加工・創造装置群
| 装置番号／ARIM設備ID | B10／KT-210 |
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| 装置名 | ドライエッチング装置 Capacitive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher |
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| 製造社名 | サムコ(株) (https://www.samco.co.jp/) |
| 品名・型番 | リアクティブイオンエッチング装置 RIE-10NR-KF |
| 特徴 | |
| キーワード | |
| 設置場所 | 総合研究6号館 クリーンルーム2 |
| 装置利用料金 | こちらをご覧ください |
仕様
| 電極構造 | セミ無遮蔽型平行平板電極（電極間：55mm） |
| 基板サイズ | MAX Φ8″ウエハ x 1枚 |
| 基板ステージ | 下部電極温度制御（水冷） |
| 高周波電源 | 600W*（13.56MHz） （* 通常300W) |
| 排気系 | TMP（200L/sec）+RP |
| ガス導入系 | CF4、CHF3、O2、Ar |
| 用途 | SiO2、Si3N4、アッシング ほか |